基于量子限制strak效应的EAM，在电场作用下，其吸收曲线红移的同时，吸收峰强度也在下降，但是其吸收峰边缘还是十分陡峭的，它可以较容易实现很低的甚至是负的啁啾，这对于高速远距离传输至关重要。
------第二：EAM中的量子阱------
单层量子阱的厚度：
量子阱的厚度对EAM性能影响很大，单层量子阱有较大厚度时，其对光的吸收能力变强，调制效率会增加；但是太厚了，量子限制效应会减弱。基于性能的平衡，单层量子阱厚度一般为9nm左右。
应变 量子阱：
无应变量子阱的EAM，由于价带能级的不连续性，很容易产生空穴堆积，在光功率达到一定程度时会产生吸收饱和。其结果就是，当EAM的反偏电压增加时，EAM的带宽会先达到最大值，然后急剧减小。这给EAM的性能带来不利影响。通过在量子阱中加入压应变，可以消除载流子堆积，EAM的带宽基本不随反偏电压变化。此外应变量子阱更容易实现低的甚至负的啁啾。
-------第三：EML集成芯片---------
EAM芯片单独用起来相当不方便，通产将它与DFB集成在一起形成EML集成芯片。DFB与EAM的集成有3大关键问题：
DFB与EAM之间的高效耦合
DFB的光能够有效传递到EAM是进行高效光调制的前提。DFB和EAM之间的耦合效率可以通过重叠积分计算。根据重叠积分，实现高效率耦合的条件是 模场匹配 和相位匹配。DFB的波导和EAM的波导都是量子阱结构，虽然其量子阱材料、量子阱厚度、量子阱层数不一样，但其模场差别很小，只要DFB波导和EAM波导模场相位匹配，就可以达到较高的耦合效率。对于直接对接耦合的波导，要求两波导完全对准，中间无任何对接缺陷。目前的工艺水平，DFB波导与EAM波导横向对准偏在50nm以内，纵向波导对接缺陷不超过0.5um，耦合效率在80%左右。
2. DFB与EAM之间的电隔离
DFB由正向电流驱动输出恒定的光功率，而EAM由反偏电压和调制电压驱动对DFB的光信号进行调制。二者之间通常需要20KΩ以上的电隔离。如果隔离器电阻不够，EAM上的调制电压可能泄露到DFB上，在降低EAM的调制效率的同时，还使得DFB驱动电流变化产生额外的啁啾；或者反过来，DFB的电流泄露到EAM上，对EAM的工作造成不利影响。目前的解决方案是在DFB和EAM的对接区的外包层形成浅隔离沟槽，形成约~50um的电隔离区，隔离电阻通常可达50kΩ以上。
3. EML芯片前端超低反射膜
如果EML芯片前端面反射率过高，反射光会随着EAM的ON/OFF调制，对DFB形成调制效应，形成所谓“绝热啁啾”。因此必须严格控制EML芯片前端面的反射。理论计算表明，当 EML芯片前端反射率在0.01%以内时候，绝热啁啾可以忽略。对比一下一般的光学表面的增透膜0.2%的反射率水平，EML增透膜的反射率要求在0.01%以内，这是非常有挑战的！除了镀膜以外，有些公司还将EAM的波导做成斜的，可进一步降低端面反射率。
------第四：EML芯片的封装特点------
EML芯片封装时是必须带TEC温控的，这是因为DFB的温度漂移系数在~0.1nm/℃，而EAM的温度漂移系数在~0.5nm/℃，它们之间有~0.4nm/℃的差距。在低温下，DFB波长处于EAM吸收区之外，EML还能有较大的光功率输出；随着温度的升高，EAM的吸收区将迅速向DFB的波长移动，DFB的光将被大量吸收，再叠加上温度升高引起的DFB本身的功率降低，EML的输出光功率急剧降低(做过数通400G FR4的朋友肯定有经验，所谓Uncool EML高温光功率掉7~8dB是很常见的)。
TEC的存在使得EML芯片能发挥最佳性能，但是其巨大的功耗也令人十分讨厌。去除TEC实现EML的Uncool封装是目前EML的发展方向。随着温度的变化，实时调整EAM的偏置电压，使得EAM的吸收区和DFB的工作波长之间的距离维持在稳定水平是一个解决方案。其缺点是温度升高，EAM反偏电压变小，EML芯片将有更大的啁啾，(EML芯片的啁啾随反偏电压增加而减小)这对于短距离应用可能没没什么，对于长距离传输影响较大。另一个方案就是合理设计 EAM的吸收区和DFB的工作波长之间的距离，使得在EML工作温度范围内，EML的输出光功率和消光比都维持在一个较为理想的水平 ，并且使用 InGaAlAs材料来提高EML的高温工作特性，但目前无制冷的EML还不是很成熟。返回搜狐，查看更多